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参数资料
| 型号： | NTP5404NRG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 136A TO220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 136A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.5 毫欧 @ 40A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 125nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 7000pF @ 32V |
| 功率 - 最大： | 167W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
NTB5404N, NTP5404N, NVB5404N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
12000
V DS = 0 V V GS = 0 V
T J = 25 ° C
12
36
10000
C iss
10
QT
30
8000
6000
C rss
8
6
V DS
V GS
24
18
4000
C iss
4
Q GS
Q GD
12
C oss
2000
0
10
5 0
V GS
5
V DS
C rss
10
15
20
25
30
35
40
2
0
0
20
I D = 40 A
T J = 25 ° C
40 60 80 100 120
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
6
0
140
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
V DS = 32 V
I D = 40 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
t r
40
35
30
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t d(on)
25
20
15
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9 1
1.1
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
1000
100
10
1
0.1
0.01
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m S
100 m S
1 mS
10 mS
dc
0.001
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTP5412NG | 功能描述:MOSFET 60A, 60V, 10mOhms N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| NTP5860N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET |
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