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参数资料
| 型号： | NTP5426NG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 60A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 170nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5800pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 215W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
NTB5426N, NTP5426N, NVB5426N
TYPICAL CHARACTERISTICS
240
200
6.6 V
10 V
6.4 V
T J = 25 ° C
6.2 V
6.0 V
240
200
V DS ≥ 10 V
160
5.8 V
160
120
80
5.4 V
5.0 V
120
80
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
40
0
0
1
2
3
V GS = 4.6 V
4
5
40
0
3
4
T J = ? 55 ° C
5
6
7
0.011
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.006
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.010
0.009
0.008
I D = 60 A
T J = 25 ° C
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
0.005
0.007
0.006
0.005
0.004
5
6
7
8
9
10
0.004
10
30
50
70
90
110
130
2.5
2.0
1.5
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
I D = 60 A
V GS = 10 V
10,000
1000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.0
0.5
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55 60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTP5412NG | MOSFET N-CH 60V 60A TO-220AB |
| FXO-HC530-27 | OSC 27 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| 12MA1 | SWITCH PUSHBUTTON PANEL MT |
| B32621A6332K289 | FILM CAP 0.0033UF 10% 630V |
| ASG-P-V-A-212.500MHZ-T | OSC 212.500 MHZ 3.3V LVPECL SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP5860N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET |
| NTP5860NG | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5860NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:N-Channel Power MOSFET |
| NTP5860NLG | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP5862NG | 功能描述:MOSFET 60V T2 TO220 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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