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参数资料
| 型号： | NTP5864NG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 63A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 63A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.4 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 107W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
NTP5864N
TYPICAL CHARACTERISTICS
125
V GS = 10 V
7.5 V
T J = 25 ° C
125
V DS ≥ 10 V
100
7V
100
75
6.5 V
5.5 V
75
50
25
5.0 V
4.5 V
50
25
T J = 25 ° C
0
0
1
2
3
4
5
0
2
T J = 125 ° C
3
4
T J = ? 55 ° C
5
6
7
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.030
0.025
I D = 20 A
T J = 25 ° C
0.0115
V GS = 10 V
T J = 25 ° C
0.0110
0.020
0.015
0.0105
0.010
0.0100
0.005
0.000
4
5
6
7
8
9
10
0.0095
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
2.2
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
100000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I D = 20 A
V GS = 10 V
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
100
10
20
30
40
50
60
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTP60N06LG | MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP5N60/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 5 Amps， 600 Volts |
| NTP60N06 | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP60N06/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 60 Amps， 60 Volts |
| NTP60N06G | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP60N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
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