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参数资料
| 型号： | NTP5864NG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 63A TO-220 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 63A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12.4 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 107W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
NTP5864N
TYPICAL CHARACTERISTICS
2500
2000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
Q T
1500
6
Q gs
Q gd
1000
4
500
0
0
C rss
C oss
10 20 30 40 50
60
2
0
0
5
10
15
20
I D = 20 A
T J = 25 ° C
25
30
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source vs. Total Charge
100
V DD = 48 V
I D = 20 A
V GS = 10 V
t d(off)
90
80
70
60
50
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
1
t d(on)
t r
t f
40
30
20
10
0
1
10
100
0.40
0.50
0.60
0.70
0.80
0.90
1.00
1.10 1.20
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
80
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
100 m s
1 ms
10 ms
dc
10 m s
70
60
50
I D = 40 A
10
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
40
30
1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
20
10
0.1
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTP60N06 | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP60N06/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 60 Amps， 60 Volts |
| NTP60N06G | 功能描述:MOSFET 60V 60A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP60N06G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
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