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参数资料
| 型号： | NTP65N02R |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 25V 7.6A TO220AB |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 25V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 9.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1330pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.04W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP65N02ROS |
NTB65N02R, NTP65N02R
2000
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
Q T
10
1600
4
V DS
1200
3
Q GS
Q GD
V GS
8
C iss
6
800
C rss
C oss
2
4
400
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
C rss
15
20
1
0
0
2
4
6
8
I D = 30 A
T J = 25 ° C
10
12
2
0
1000
100
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE
(V)
Figure 7. Capacitance Variation
V DS = 10 V
I D = 30 A
V GS = 10 V
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate?to?Source and Drain?to?Source
Voltage versus Total Charge
60
50
40
t r
30
t d(off)
10
t f
20
1
t d(on)
10
0
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
1000
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100
10 m s
100 m s
10
1 ms
R DS(ON) LIMIT
THERMAL LIMIT
10 ms
dc
1
PACKAGE LIMIT
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| NTP65N02RG | 功能描述:MOSFET 24V 65A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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