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参数资料
| 型号： | NTP75N03L09 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 75A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 37.5A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 75nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5635pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 2.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP75N03L09OS |
NTP75N03L09, NTB75N03L09
PACKAGE DIMENSIONS
TO?220
CASE 221A?09
ISSUE AA
4
B
F
T
S
C
?T?
SEATING
PLANE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
H
Q
Z
L
V
G
1 2 3
N
D
A
K
U
R
J
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
INCHES
MIN MAX
0.570 0.620
0.380 0.405
0.160 0.190
0.025 0.035
0.142 0.147
0.095 0.105
0.110 0.155
0.018 0.025
0.500 0.562
0.045 0.060
0.190 0.210
0.100 0.120
0.080 0.110
0.045 0.055
0.235 0.255
0.000 0.050
0.045 ???
??? 0.080
MILLIMETERS
MIN MAX
14.48 15.75
9.66 10.28
4.07 4.82
0.64 0.88
3.61 3.73
2.42 2.66
2.80 3.93
0.46 0.64
12.70 14.27
1.15 1.52
4.83 5.33
2.54 3.04
2.04 2.79
1.15 1.39
5.97 6.47
0.00 1.27
1.15 ???
??? 2.04
http://onsemi.com
6
STYLE 5:
PIN 1.
2.
3.
4.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PV37Z501C31A00 | TRIMMER 500 OHM 0.25W TH |
| WMF6S47K-F | CAP FILM 0.047UF 630VDC AXIAL |
| 940C6W1K-F | CAP FILM 1UF 600VDC AXIAL |
| A7NOK-2510M | DSUB CABL-AMN25K/ AE25M / AFN25K |
| TH3D336K020D0600 | CAP TANT 33UF 20V 10% 2917 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP75N03L09/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 75 Amps， 30 Volts |
| NTP75N03L09G | 功能描述:MOSFET 30V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP75N03R | 功能描述:MOSFET 25V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP75N03RG | 功能描述:MOSFET 25V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTP75N06 | 功能描述:MOSFET 60V 75A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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