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参数资料
| 型号： | NTR0202PLT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 400mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 200mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.18nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 70pF @ 5V |
| 功率 - 最大： | 225mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTR0202PLT1GOSDKR |
NTR0202PL, NVTR0202PL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 V, I D = ? 10 m A)
(Positive Temperature Coefficient)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V DS = ? 20 V, V GS = 0 V, T J = 25 ° C)
(V DS = ? 20 V, V GS = 0 V, T J = 150 ° C)
Gate ? Body Leakage Current (V GS = ± 20 V, V DS = 0 V)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
? 20
33
? 1.0
? 10
± 100
V
mV/ ° C
m A
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = ? 250 m A)
(Negative Temperature Coefficient)
Static Drain ? to ? Source On ? Resistance
(V GS = ? 10 V, I D = ? 200 mA)
(V GS = ? 4.5 V, I D = ? 50 mA)
Forward Transconductance
(V DS = ? 10 V, I D = ? 200 mA)
V GS(th)
R DS(on)
g fs
? 1.1
? 1.9
3.0
0.55
0.80
0.5
? 2.3
0.80
1.10
V
mV/ ° C
W
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
70
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
(V DS = ? 5.0 V, V GS = 0 V,
F = 1.0 MHz)
C oss
C rss
74
26
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 3)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
3.0
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = ? 15 V, I D = ? 200 mA,
V GS = ? 10 V, R G = 6.0 W )
t r
t d(off)
t f
6.0
18
4
Total Gate Charge
Q TOT
2.18
nC
Gate ? Source Charge
Gate ? Drain Charge
(V DS = ? 15 V, I D = ? 200 mA,
V GS = ? 10 V)
Q GS
Q GD
0.41
0.40
BODY ? DRAIN DIODE CHARACTERISTICS (Note 2)
Diode Forward Voltage (Note 2)
(I S = ? 400 mA, V GS = 0 V)
(I S = ? 400 mA, V GS = 0 V, T J = 150 ° C)
Reverse Recovery Time
(I S = ? 1.0 A, V GS = 0 V,
dI S /dt = 100 A/ m s)
V SD
t rr
t a
t b
? 0.8
? 0.65
11.8
9
3
? 1.0
V
ns
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = ? 1.0 A, V GS = 0 V,
dI S /dt = 100 A/ m s)
Q RR
0.007
m C
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 m s, Duty Cycle ≤ 2%.
3. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
2
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PDF描述 |
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参数描述 |
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