参数资料
型号: NTR2101PT1
厂商: ON Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
产品变化通告: LTB Notification 03/Jan/2008
Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 8V
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 52 毫欧 @ 3.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1173pF @ 4V
功率 - 最大: 960mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3(TO-236)
包装: 带卷 (TR)
NTR2101P
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
100
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
0.000001
SINGLE PULSE
0.00001 0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, PULSE TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
http://onsemi.com
5
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参数描述
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