参数资料
型号: NTSB30100S-1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 2/6页
文件大小: 110K
描述: DIODE LVFR 30A 100V I2PAK
标准包装: 50
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 100V
电流 - 平均整流 (Io): 30A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 950mV @ 30A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1mA @ 100V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: I2PAK(TO-262)
包装: 管件
NTST30100SG, NTSB30100S?1G
http://onsemi.com
2
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
V
V
RRM
RWM
VR
100
V
Average Rectified Forward Current
(Rated VR, TC
= 105
°C)
IF(AV)
30
A
Peak Repetitive Forward Current
(Rated VR, Square Wave, 20 kHz, TC
= 95
°C)
IFRM
60
A
Nonrepetitive Peak Surge Current
(Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60 Hz)
IFSM
250
A
Operating Junction Temperature
TJ
?40 to +150
°C
Storage Temperature
Tstg
?65 to +175
°C
Voltage Rate of Change (Rated VR)
dv/dt
10,000
V/s
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the
Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect
device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
Rating
Symbol
Value
Unit
Maximum Thermal Resistance Junction?to?Case
Junction?to?Ambient
RJC
RJA
2.0
70
°C/W
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Rating
Symbol
Typ
Max
Unit
Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1)
(IF
= 5 A, T
J
= 25
°C)
(IF
= 10 A, T
J
= 25
°C)
(IF
= 30 A, T
J
= 25
°C)
(IF
= 5 A, T
J
= 125
°C)
(IF
= 10 A, T
J
= 125
°C)
(IF
= 30 A, T
J
= 125
°C)
vF
0.47
0.55
0.84
0.39
0.51
0.7
?
?
0.95
?
?
0.78
V
Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1)
(VR
= 70 V, T
J
= 25
°C)
(VR
= 70 V, T
J
= 125
°C)
(Rated dc Voltage, TJ
= 25
°C)
(Rated dc Voltage, TJ
= 125
°C)
IR
27
11
70
23
1000
45
A
mA
A
mA
1. Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle
2.0%
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