参数资料
型号: NTSB30100S-1G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 4/6页
文件大小: 110K
描述: DIODE LVFR 30A 100V I2PAK
标准包装: 50
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 100V
电流 - 平均整流 (Io): 30A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 950mV @ 30A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 1mA @ 100V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商设备封装: I2PAK(TO-262)
包装: 管件
NTST30100SG, NTSB30100S?1G
http://onsemi.com
4
0.01
0.1
1
10
0.000001 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
10%
5%
2%
20%
1%
50% Duty Cycle
Single Pulse
t, Pulse Time (sec)
R(t), TYPICAL TRANSIENT THERMAL
RESISTANCE (
°
C/W)
Figure 6. Typical Transient Thermal Response, Junction?to?Case
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PDF描述
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相关代理商/技术参数
参数描述
NTSB30120CT-1G 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
NTSB30120CTG 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
NTSB30120CTT4G 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
NTSB30U100CT-1G 功能描述:肖特基二极管与整流器 LVFR DUAL 30A 100V I2PAK RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
NTSB40100CT-1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:LVFR 40A 100V I2PAK - Rail/Tube 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Schottky Diodes & Rectifiers LVFR 40A 100V I2PAK 制造商:ON Semiconductor 功能描述:TUBE / LVFR 40A 100V I2PAK