参数资料
型号: NTST20100CTG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 7/8页
文件大小: 126K
描述: IC DIODE SCHOTTKY 100V TO220-3
标准包装: 50
二极管类型: 肖特基
电压 - (Vr)(最大): 100V
电流 - 平均整流 (Io): 20A
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大): 830mV @ 10A
速度: 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
电流 - 在 Vr 时反向漏电: 800µA @ 100V
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
NTST20100CT, NTSB20100CT?1G, NTSJ20100CTG, NTSB20100CTG
http://onsemi.com
7
PACKAGE DIMENSIONS
TO?220 FULLPACK, 3?LEAD
CASE 221AH
ISSUE B
DIM MIN MAX
MILLIMETERS
D
14.70 15.30
E
9.70 10.30
A
4.30 4.70
b
0.54 0.84
P
3.00 3.40
e
L1
--- 2.80
c
0.49 0.79
L
12.70 14.73
b2
1.10 1.40
Q
2.80 3.20
A2
2.50 2.70
A1
2.50 2.90
H1
6.70 7.10
E
Q
L1
3X
b2
e
D
L
P
123
4
3X
b
B
SEATINGPLANE
A
A1
H1
A2
c
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ASME
Y14.5M, 1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETERS.
3. CONTOUR UNCONTROLLED IN THIS AREA.
4. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH
AND GATE PROTRUSIONS. MOLD FLASH AND GATE
PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.13 PER SIDE. THESE
DIMENSIONS ARE TO BE MEASURED AT OUTERMOST
EXTREME OF THE PLASTIC BODY.
5. DIMENSION b2 DOES NOT INCLUDE DAMBAR
PROTRUSION. LEAD WIDTH INCLUDING PROTRUSION
SHALL NOT EXCEED 2.00.
2.54 BSC
0.14
M
B
A
M
A
C
E/2
0.25
M
B
A
M
C
NOTE 3
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PDF描述
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NTST20120CT 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier
NTST20120CTG 功能描述:肖特基二极管与整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
NTST20U100CT 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky
NTST20U100CTG 功能描述:肖特基二极管与整流器 LVFR DUAL 20A 100V TO-220 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
NTST30100CT-D 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Very Low Forward Voltage Trench-based Schottky Rectifier