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参数资料
| 型号： | NTTFS4800NTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 5A 8WDFN |
| 产品目录绘图： | 8-WDFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 964pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 860mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTTFS4800NTAGOSDKR |
NTTFS4800N
TYPICAL CHARACTERISTICS
50
40
10 V
7.5 V
5V
4.6 V
4.8 V T J = 25 ° C
4.4 V
4.2 V
40
30
V DS ≥ 10 V
30
4.0 V
20
3.8 V
3.6 V
20
T J = 25 ° C
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3.4 V
3.2 V
3.0 V
3
10
0
1
T J = 125 ° C
2
3
T J = ? 55 ° C
4
5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.030
0.028
0.026
0.024
0.022
0.020
0.018
0.016
0.014
0.012
I D = 28 A
T J = 25 ° C
0.042
0.038
0.034
0.03
0.026
0.022
0.018
0.014
0.01
0.006
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.010
3
4
5
6
7
8
9
10
0.002
10
15
20
25
30
35
40
V GS (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. V GS
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
I D = 20 A
V GS = 10 V
10,000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
100
T J = 85 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTFS4821NTAG | MOSFET N-CH 30V 7.5A 8WDFN |
| NTTFS4823NTWG | MOSFET N-CH 30V 7.1A 8WDFN |
| NTTFS4824NTWG | MOSFET N-CH 30V 8.3A 8WDFN |
| NTTFS4840NTAG | MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN |
| NTTFS4928NTAG | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8WDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTFS4800NTWG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 28A 20mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4821N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 57 A, Single N−Channel, u8FL |
| NTTFS4821NTAG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4821NTWG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 57A 10.8mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4823N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 50 A, Single N−Channel, 8FL |
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