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参数资料
| 型号： | NTTFS4840NTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 4.6A 8WDFN |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 24 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 580pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 840mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | NTTFS4840NTAGOSDKR |
NTTFS4840N
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
Duty Cycle = 50%
10
1
20%
10%
5%
2%
1%
0.1
Single Pulse
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTFS4928NTAG | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8WDFN |
| NTTFS4929NTAG | MOSFET N-CH 30V 34A 8WDFN |
| NTTFS4930NTWG | MOSFET N-CH 30V 23A 8WDFN |
| NTTFS4932NTAG | MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN |
| NTTFS4937NTAG | MOSFET N-CH 30V 11A 8WDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTTFS4840NTWG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 26A 24mOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4928N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 37 A, Single N?Channel, 8FL DC?DC Converters |
| NTTFS4928NTAG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 41A 8MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4928NTWG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 41A 8MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTTFS4929N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 34 A, Single Na??Channel, 8FL |
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