- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录18427 > NTTS2P03R2G (ON Semiconductor)MOSFET PWR P-CHAN SGL 30V 8MICRO PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NTTS2P03R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET PWR P-CHAN SGL 30V 8MICRO |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 2.48A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 500pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTTS2P03R2GOSCT |
NTTS2P03R2
3
?10 V
?3.5 V
?3.3 V
T J = 25 ° C
5
V DS ≥ ?10 V
?3.7 V
?3.9 V
?3.1 V
4
2
?4.1 V
?4.5 V
3
1
?4.9 V
?6 V
?2.9 V
?2.7 V
2
T J = 25 ° C
0
?2.5 V
V GS = ?2.3 V
1
0
T J = 100 ° C
T J = ?55 ° C
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
1
2
3
4
5
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
?V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.3
0.25
0.2
I D = ?2.48 A
T J = 25 ° C
0.15
0.1
T J = 25 ° C
V GS = ?4.5 V
0.15
0.1
0.05
0
0.05
0
V GS = ?10 V
0
2
4
6
8
10
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
1.6
?V GS, GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?to?Source Voltage
10,000
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
1.4
I D = ?2.48 A
V GS = ?10 V
1000
T J = 150 ° C
1.2
100
1
T J = 100 ° C
0.8
0.6
10
1
?50
?25
0 25
50
75
100
125
150
5
10 15 20 25
30
T J, JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
?V DS, DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTTS2P02R2G | MOSFET PWR P-CHAN SGL 20V 8MICRO |
| FXO-HC535-8 | OSC 8 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| NTTD4401FR2G | MOSFET P-CH 20V 2.4A MICRO8 |
| FXO-HC535-8.192 | OSC 8.192 MHZ 3.3V HCMOS SMD |
| NTMS4503NR2G | IC MOSFET PWR SGL N-CH 28V 8SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTUD01N02/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 100 mAmps， 20 Volts |
| NTUD3127C | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 200 mA / −180 mA, Complementary, 1.0 x 1.0 mm SOT−963 Package |
| NTUD3127CT5G | 功能描述:MOSFET ZEN REG 0.5W 2.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTUD3128N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 200 mA, Dual N-Channel, 1.0 mm x 1.0 mm SOT-963 Package |
| NTUD3128NT5G | 功能描述:MOSFET SMALL SIGNAL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。