参数资料
| 型号： | NTVB275NSC-L |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC THY SURGE PROTECTOR 310V SMB |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 击穿： | 350V |
| 电压 - 断路： | 275V |
| 电压 - 导通状态： | 4V |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 100A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 97pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTVB Series
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Characteristics (Notes 1, 2, 3)
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Breakover Voltage (Both Polarities)
Off ? State Voltage (Both Polarities)
Off State Current
NTVB058NSx ? L
NTVB065NSx ? L
NTVB090NSx ? L
NTVB170Sx ? L
NTVB170NSx ? L
NTVB180Sx ? L
NTVB200Sx ? L
NTVB220NSx ? L
NTVB270Sx ? L
NTVB275NSx ? L
NTVB300Sx ? L
NTVB058NSx ? L
NTVB065NSx ? L
NTVB090NSx ? L
NTVB170Sx ? L
NTVB170NSx ? L
NTVB180Sx ? L
NTVB200Sx ? L
NTVB220NSx ? L
NTVB270Sx ? L
NTVB275NSx ? L
NTVB300Sx ? L
( V D1 = 50 V ) Both Polarities
( V D2 = V DRM ) Both Polarities
V (BO)
V DRM
I DRM1
I DRM2
58
65
90
170
170
170
200
220
270
275
300
77
88
130
265
220
240
320
300
365
350
400
2.0
5.0
V
V
m A
m A
Holding Current (Both Polarities) (Note 3) V S = 500 V; I T = 2.2 A
On ? State Voltage I T = 1.0 A(pk) (PW = 300 m Sec, DC = 2%)
Maximum Non ? Repetitive Rate of Change of On ? State Current (Note 1)
(Haefely test method, 1.0 pk < 100 A)
Critical Rate of Rise of Off ? State Voltage
(Linear Waveform, V D = 0.8 V DRM , T J = 25 ° C)
I H
V T
di/dt
dv/dt
150
?
?
5.0
250
?
?
?
?
4.0
500
?
mA
V
A/ m Sec
kV/ m Sec
CAPACITANCE
Typ
Characteristics
Symbol
A
B
C
Unit
(f=1.0 MHz, 1.0 V rms , 2 Vdc bias)
NTVB058NSx ? L
NTVB065NSx ? L
NTVB090NSx ? L
NTVB170Sx ? L
NTVB170NSx ? L
NTVB180Sx ? L
NTVB200Sx ? L
NTVB220NSx ? L
NTVB270Sx ? L
NTVB275NSx ? L
NTVB300Sx ? L
C o
84
79
58
39
39
37
36
33
31
28
28
129
123
95
150
59
59
56
52
47
44
44
222
198
154
195
99
97
110
81
76
97
71
pF
1. Electrical parameters are based on pulsed test methods.
2. Measured under pulsed conditions to reduce heating
3. Allow cooling before testing second polarity.
http://onsemi.com
2
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1-640388-5 | CONN HEADER 15POS VERT .156 TIN |
| TSW-123-08-L-S-RA | CONN HEADER 23PS .100 SGL R/A AU |
| 3-644892-5 | 05P CST100 SHRD HDR ASSY LF |
| TSW-118-07-T-D | CONN HEADER 36POS .100" DL TIN |
| TISP4095M3BJR | SURGE SUPP 75V BIDIR DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTVB300SA-L | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 350V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NTVB300SB-L | 功能描述:硅对称二端开关元件 80A 350V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NTVB300SC-L | 功能描述:硅对称二端开关元件 THY SMB 10A 350V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NTVD20N03L27G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 0.27R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTVD20N03L27T4G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 0.27R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。