参数资料
| 型号： | NTVB275NSC-L |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC THY SURGE PROTECTOR 310V SMB |
| 标准包装： | 2,500 |
| 电压 - 击穿： | 350V |
| 电压 - 断路： | 275V |
| 电压 - 导通状态： | 4V |
| 电流 - 峰值脉冲(10 x 1000µs)： | 100A |
| 电流 - 保持 (Ih)： | 150mA |
| 元件数： | 1 |
| 电容： | 97pF |
| 封装/外壳： | DO-214AA，SMB |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTVB Series
ORDERING INFORMATION
Part Number
NTVB058NSB ? L
NTVB058NSC ? L
NTVB065NSA ? L
NTVB065NSC ? L
NTVB090NSA ? L
NTVB170SA ? L
NTVB170SC ? L
NTVB170NSC ? L
NTVB180SA ? L
NTVB200SA ? L
NTVB200SB ? L
NTVB200SC ? L
NTVB220NSC ? L
NTVB270SA ? L
NTVB270SB ? L
NTVB270SC ? L
NTVB275NSC ? L
NTVB300SA ? L
NTVB300SB ? L
NTVB300SC ? L
Marking
58NB
58NC
65NA
65NC
90NA
170A
170C
17NC
180A
200A
200B
200C
22NC
270A
270B
270C
27NC
300A
300B
300C
Case
SMB
(Pb ? Free)
Shipping ?
2500 / Tape and Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 1-640388-5 | CONN HEADER 15POS VERT .156 TIN |
| TSW-123-08-L-S-RA | CONN HEADER 23PS .100 SGL R/A AU |
| 3-644892-5 | 05P CST100 SHRD HDR ASSY LF |
| TSW-118-07-T-D | CONN HEADER 36POS .100" DL TIN |
| TISP4095M3BJR | SURGE SUPP 75V BIDIR DO-214AA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTVB300SA-L | 功能描述:硅对称二端开关元件 50A 350V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NTVB300SB-L | 功能描述:硅对称二端开关元件 80A 350V TSPD SMB RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NTVB300SC-L | 功能描述:硅对称二端开关元件 THY SMB 10A 350V RoHS:否 制造商:Bourns 转折电流 VBO:40 V 最大转折电流 IBO:800 mA 不重复通态电流: 额定重复关闭状态电压 VDRM:25 V 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）: 保持电流（Ih 最大值）:50 mA 开启状态电压:5 V 关闭状态电容 CO:120 pF 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AA |
| NTVD20N03L27G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 0.27R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTVD20N03L27T4G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 0.27R TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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