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参数资料
| 型号： | NTZD3152PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT-563 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-563 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 430mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 900 毫欧 @ 430mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 175pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装： | SOT-563 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTZD3152PT1GOSDKR |
NTZD3152P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
250
200
150
V GS = 0 V
C ISS
T J = 25 ° C
5
4
3
? V DS
QT
? V GS
10
9
8
7
6
5
100
2
4
C OSS
Q GS
Q GD
3
50
0
0
C RSS
5 10
15
20
1
0
0
0.2
0.4 0.6 0.8
1
1.2
1.4
I D = ? 0.215 A
T J = 25 ° C
1.6 1.8
2
2
1
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
100
0.6
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(off)
t f
0.4
10
t r
t d(on)
0.2
1
V DD = ? 10 V
I D = ? 0.215 A
V GS = ? 4.5 V
0
1
10
100
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
4
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2012SS1W01/UC | SW TOGGLE SPDT THR SILV SLD LUG |
| B32913A3154M189 | CAP FILM 0.15UF 760VDC RADIAL |
| M2022TNW03-DA | SWITCH ROCKER DPDT 6A 125V |
| M2013TXG45-DC | SWITCH ROCKER SPDT 0.4VA 28V |
| SW3006A | SWITCH ROCKER DPDT 20A 125V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTZD3152PT1H | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PFET SOT563 20V 430MA 900 - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PFET SOT563 20V 430MA TR 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PFET SOT563 20V 430MA TR |
| NTZD3152PT5G | 功能描述:MOSFET -20V -430mA Dual P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTZD3152PT5H | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET −20 V, −430 mA, Dual P−Channel with ESD Protection, SOT−563 |
| NTZD3154N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Small Signal MOSFET 20 V, 540 mA, Dual N−Channel |
| NTZD3154NT1G | 功能描述:MOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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