- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录17287 > NUD3112DMT1 (ON Semiconductor)IC INDCT LOAD/RELAY DRVR SC74-6 PDF资料下载
参数资料
| 型号： | NUD3112DMT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INDCT LOAD/RELAY DRVR SC74-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 1.2 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 400mA |
| 电流 - 峰值输出： | 500mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | SC-74 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NUD3112DMT1OSCT |
NUD3112
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 ° C unless otherwise noted)
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Unit
DYNAMIC CHARACTERISTICS
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
(V DS = 12 V, V GS = 0 V, f = 10 kHz)
Output Capacitance
(V DS = 12 V, V GS = 0 V, f = 10 kHz)
Transfer Capacitance
(V DS = 12.0 V, V GS = 0 V, f = 10 kHz)
?
?
?
23
30
7
?
?
?
pF
pF
pF
SWITCHING CHARACTERISTICS
Symbol
Characteristic
Min
Typ
Max
Units
Propagation Delay Times:
nS
t PHL
t PLH
High to Low Propagation Delay; Figure 1 (V DS = 12 V, V GS = 5.0 V)
Low to High Propagation Delay; Figure 1 (V DS = 12 V, V GS = 5.0 V)
?
?
21
91
?
?
Transition Times:
nS
t f
t r
Fall Time; Figure 1 (V DS = 12 V, V GS = 5.0 V)
Rise Time; Figure 1 (V DS = 12 V, V GS = 5.0 V)
?
?
36
61
?
?
V IH
V in
50%
0V
V out
t PHL
90%
50%
t PLH
V OH
10%
t f
Figure 1. Switching Waveforms
http://onsemi.com
3
t r
V OL
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GMM06DTKS | CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD |
| RBC08DRTN-S93 | CONN EDGECARD 16POS DIP .100 SLD |
| NSF8KT-E3/45 | DIODE 8A 800V ISO PLAST TO220-2 |
| NSF8JT-E3/45 | DIODE 8A 600V ISO PLAST TO220-2 |
| GSM06DTKN | CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NUD3112DMT1G | 功能描述:MOSFET 12V Industrial Relay Inductive Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3112DMT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IC RELAY/INDUCTIVE DRVR 2CH 400MA SC74-6 |
| NUD3112LT1 | 功能描述:MOSFET 12V Industrial Relay RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3112LT1G | 功能描述:MOSFET 12V Industrial Relay Inductive Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3124 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:5 V Relay Driver Socket |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。