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参数资料
| 型号： | NUD3112DMT1 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC INDCT LOAD/RELAY DRVR SC74-6 |
| 标准包装： | 1 |
| 类型： | 低端 |
| 输入类型： | 非反相 |
| 输出数： | 2 |
| 导通状态电阻： | 1.2 欧姆 |
| 电流 - 输出 / 通道： | 400mA |
| 电流 - 峰值输出： | 500mA |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SC-74，SOT-457 |
| 供应商设备封装： | SC-74 |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NUD3112DMT1OSCT |
NUD3112
PACKAGE DIMENSIONS
SOT ? 23 (TO ? 236)
CASE 318 ? 08
ISSUE AP
3
D
SEE VIEW C
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. MAXIMUM LEAD THICKNESS INCLUDES LEAD FINISH
THICKNESS. MINIMUM LEAD THICKNESS IS THE MINIMUM
THICKNESS OF BASE MATERIAL.
4. DIMENSIONS D AND E DO NOT INCLUDE MOLD FLASH,
PROTRUSIONS, OR GATE BURRS.
E
A
A1
1
e
2
b
H E
L
L1
VIEW C
q
c
0.25
MILLIMETERS
DIM MIN NOM MAX
A 0.89 1.00 1.11
A1 0.01 0.06 0.10
b 0.37 0.44 0.50
c 0.09 0.13 0.18
D 2.80 2.90 3.04
E 1.20 1.30 1.40
e 1.78 1.90 2.04
L 0.10 0.20 0.30
L1 0.35 0.54 0.69
H E 2.10 2.40 2.64
q 0 ° ??? 10 °
STYLE 21:
PIN 1. GATE
2. SOURCE
3. DRAIN
MIN
0.035
0.001
0.015
0.003
0.110
0.047
0.070
0.004
0.014
0.083
0 °
INCHES
NOM
0.040
0.002
0.018
0.005
0.114
0.051
0.075
0.008
0.021
0.094
???
MAX
0.044
0.004
0.020
0.007
0.120
0.055
0.081
0.012
0.029
0.104
10 °
SOLDERING FOOTPRINT*
0.95
0.95
0.037
0.037
2.0
0.079
0.9
0.035
0.8
SCALE 10:1
mm
inches
0.031
*For additional information on our Pb ? Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| GSM06DTKN | CONN EDGECARD 12POS DIP .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NUD3112DMT1G | 功能描述:MOSFET 12V Industrial Relay Inductive Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3112DMT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:IC RELAY/INDUCTIVE DRVR 2CH 400MA SC74-6 |
| NUD3112LT1 | 功能描述:MOSFET 12V Industrial Relay RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3112LT1G | 功能描述:MOSFET 12V Industrial Relay Inductive Load RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NUD3124 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:5 V Relay Driver Socket |
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