参数资料
型号: NUP412VP5T5G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/4页
文件大小: 0K
描述: IC TVS ARRAY QUAD 12V ESD SOT953
产品变化通告: Wire Bond Change 01/Dec/2010
标准包装: 8,000
电压 - 反向隔离(标准值): 9V
电压 - 击穿: 11.4V
功率(瓦特): 18W
电极标记: 4 通道阵列 - 单向
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-953
供应商设备封装: SOT-953
包装: 带卷 (TR)
其它名称: NUP412VP5T5G-ND
NUP412VP5T5GOSTR
NUP412VP5
TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0.0035
0.003
0.0025
0.002
0.0015
0.001
0.0005
7.5
7
6.5
6
5.5
5
4.5
4
3.5
0
? 60 ? 40 ? 20 0
20
40
60
80
100 120 140 160
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
T, TEMPERATURE ( ° C)
Figure 1. Reverse Leakage versus
Temperature
BIAS VOLTAGE (V)
Figure 2. Capacitance
100
90
80
70
60
50
40
30
20
t r
t P
PEAK VALUE I RSM @ 8 m s
PULSE WIDTH (t P ) IS DEFINED
AS THAT POINT WHERE THE
PEAK CURRENT DECAY = 8 m s
HALF VALUE I RSM /2 @ 20 m s
1
0.1
0.01
10
0
0
20
40
60
80
0.001
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
T A = 25 ° C
1.6
1.8
t, TIME ( m s)
Figure 3. 8 × 20 m s Pulse Waveform
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
V F , FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 4. Forward Voltage
0
0
25
50
75
100
125
150
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. Power Derating Curve
http://onsemi.com
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