参数资料
| 型号： | NUS2045MNT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 8/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OVP W/20V P-CH MOSFET DFN8 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 29/Oct/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 工作： | 3 ~ 25V |
| 电压 - 箝位： | 7.08V |
| 技术： | 混合技术 |
| 功率（瓦特）： | 1W |
| 电路数： | 1 |
| 应用： | 通用 |
| 封装/外壳： | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-DFN-EP（3.3x3.3） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NUS2045MNT1GOSCT |
NUS2045MN, NUS3045MN
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
(T A = 25 ° C, unless otherwise specified)
20 V, P?CHANNEL MOSFET
10
V GS = ?10 V ? ?2.4 V
T J = 25 ° C
0.1
0.09
V GS = ?5.0 V
T = 125 ° C
8
?2.2 V
0.08
0.07
T = 25 ° C
6
4
2
.
?2.0 V
?1.8 V
?1.6 V
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
T = ?55 ° C
0.01
0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
1
3
5
7
9
100000
?V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 8. On?Region Characteristics
5
?I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 9. On?Resistance vs. Drain Current and
Temperature
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
4.5
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
3.5
1000
100
10
1.0
T J = 125 ° C
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
?V DS, DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Drain?to?Source Leakage Current
vs. Voltage
http://onsemi.com
8
?V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EL5224ILZ | IC BUFFER 12MHZ R-R 8-CH 24-QFN |
| TA35-CBTWM040C0 | CIRC BREAKER/WHITE ROCKER 2P 4A |
| 25641801RP2 | CONN RCPT 2MM VRT DUAL ROW 18POS |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NUS2401SNT1 | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200mA 50V Integrated RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| NUS2401SNT1_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Integrated PNP/NPN Digital Transistors Array |
| NUS2401SNT1G | 功能描述:开关晶体管 - 偏压电阻器 200mA 50V Integrated NPN/PNP RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶体管极性:NPN/PNP 典型输入电阻器: 典型电阻器比率: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体: 直流集电极/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作频率: 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 集电极连续电流:150 mA 峰值直流集电极电流: 功率耗散:200 mW 最大工作温度: 封装:Reel |
| NUS2501W6 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Integrated NPN Digital Transistor with Switching Transistor with Switching |
| NUS2501W6T1 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Integrated NPN Digital Transistor with Switching Transistor with Switching |
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