参数资料
型号: NUS3055MUTAG
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: IC OVP LOW PRO W/MOSFET 8-TLLGA
产品变化通告: Product Obsolescence 07/Jul/2010
标准包装: 1
电压 - 工作: 3 ~ 25V
电压 - 箝位: 7.08V
技术: 混合技术
电路数: 1
应用: 通用
封装/外壳: 8-UFLGA
供应商设备封装: 8-LLGA(3x2.5)
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NUS3055MUTAGOSCT
NUS3055MUTAG
T OFF IN
Input Voltage
T OFF IN Test
T A =25 ° C
Output Voltage
Figure 10. T OFF IN Waveforms
V CC
P?CH
IN
Undervoltage
Lock Out
GATE
+
?
Logic
FET
Driver
OUT
12 W
V ref
6 Vdc
8 Vdc
NUS3055
GND
CNTRL
Figure 11. Test Circuit for T ON CT and T OFF CT
http://onsemi.com
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NUS3065MUTAG 功能描述:监控电路 LO PROFILE OVERVLTG PROTECT IC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 监测电压数: 监测电压: 欠电压阈值: 过电压阈值: 输出类型:Active Low, Open Drain 人工复位:Resettable 监视器:No Watchdog 电池备用开关:No Backup 上电复位延迟(典型值):10 s 电源电压-最大:5.5 V 最大工作温度:+ 85 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:UDFN-6 封装:Reel
NUS3116MT 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Main Switch Power MOSFET and Dual Charging BJT
NUS3116MTR2G 功能描述:MOSFET OSPI QUAD BUS BUFFER RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NUS5530MN 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Integrated Power MOSFET with PNP Low VCE(sat) Switching Transistor