参数资料
型号: NUS6189MNTWG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 7/14页
文件大小: 0K
描述: IC OVP LOW PRO W/MOSFET 22-QFN
产品变化通告: Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装: 3,000
技术: 混合技术
电路数: 1
应用: 通用
封装/外壳: 22-VFQFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 22-QFN(3x4)
包装: 带卷 (TR)
NUS6189MN
TYPICAL CHARACTERISTICS ? 12V, P ? CHANNEL MOSFETS (MOSFET1 ? CHARGING)
6
5
4
3
2
? 1.7 ? ? 8.0 V
? 1.6 V
? 1.5 V
V GS = ? 1.4 V
6
5
4
3
2
V DS ≥ ? 10 V
T J = 25 ° C
T J = 100 ° C
T J = ? 55 ° C
1
1
0
0
1
2
3
4
T J = 25 ° C
5
6
0
0.5
1.0
1.5
2.0
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. Transfer Characteristics
0.05
V GS = 4.5 V
T J = 100 ° C
0.05
T J = 25 ° C
V GS = ? 2.5 V
0.04
0.03
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.04
0.03
V GS = ? 4.5 V
0.02
1
2
3
4
5
6
0.02
1
2
3
4
5
6
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 5. On ? Resistance vs. Drain Current
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 6. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.4
I D = ? 3 A
V GS = ? 4.5 V
10,000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.2
1,000
1.0
0.8
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
2
4
6
8
10
12
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 7. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
7
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 8. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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NUSC4-WH 功能描述:接线端子 - 未指定 TERM BLOCK WHITE RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 类型:Component Plug 位置/触点数量:2 电压额定值:24 V
NUSC6WC-WH 功能描述:接线端子 - 未指定 TERM BLK BLACK NOREL RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 类型:Component Plug 位置/触点数量:2 电压额定值:24 V