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参数资料
| 型号： | NVMFD5877NLT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 17A 8SOIC FL |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 17A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 7.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 5.9nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 540pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装： | 8-DFN（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NVMFD5877NL, NVMFD5877NLWF
TYPICAL CHARACTERISTICS
800
700
600
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
9
8
7
Q T
500
6
400
300
5
4
Q gs
Q gd
200
100
0
0
C rss
C oss
5
10
15
20
25
30
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
T J = 25 ° C
V DD = 48 V
I D = 5 A
8 9 10
11
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source vs. Gate Charge
1000
100
V DD = 48 V
I D = 5 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
40
30
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
10
t d(on)
10
1
1
10
100
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage
vs. Gate Resistance
100
10 m s
10
100 m s
1 ms
1
V GS = 20 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
10 ms
dc
Package Limit
0.1
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
|---|---|
| B22EB | SW TOGGLE DPDT .4VA STR BRKT ESD |
| PE870106 | POWER ENTRY FILTERED 6A SCREW |
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| B32523Q1475K289 | FILM CAP 4.7UF 10% 100V |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NVMFD5877NLWF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:60 V, 39 m, 17 A, Dual Na??Channel, Logic Level, Dual SO8FL |
| NVMFD5877NLWFT1G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:60 V, 39 m, 17 A, Dual Na??Channel, Logic Level, Dual SO8FL |
| NVMFD5877NLWFT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:60 V, 39 m, 17 A, Dual Na??Channel, Logic Level, Dual SO8FL |
| NVMFS4841NT1G | 功能描述:MOSFET Single N-Channel 30V,89A,7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVMFS4841NT3G | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30V, 7 m, 89A, Single N?Channel SO8FL |
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