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参数资料
| 型号： | NVMFS5844NLT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 11.2S SO-8FL |
| 标准包装： | 650 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1460pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
NTMFS5844NL, NVMFS5844NL
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
Temperature Coefficient
V (BR)DSS
V (BR)DSS /
T J
V GS = 0 V, I D = 250 m A
60
57
V
mV/ ° C
Zero Gate Voltage Drain Current
I DSS
V GS = 0 V,
V DS = 60 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
1
100
m A
Gate ? to ? Source Leakage Current
I GSS
V DS = 0 V, V GS = ± 20 V
± 100
nA
ON CHARACTERISTICS (Note 5)
Gate Threshold Voltage
Negative Threshold Temperature Coefficient
V GS(TH)
V GS(TH) /T J
V GS = V DS , I D = 250 m A
1.5
6.2
2.3
V
mV/ ° C
Drain ? to ? Source On Resistance
R DS(on)
V GS = 10 V
V GS = 4.5 V
I D = 10 A
I D = 10 A
10.2
13
12
16
m W
Forward Transconductance
g FS
V DS = 5 V, I D = 10 A
27
S
CHARGES, CAPACITANCES & GATE RESISTANCE
Input Capacitance
C ISS
1460
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Total Gate Charge
Threshold Gate Charge
Gate ? to ? Source Charge
Gate ? to ? Drain Charge
Plateau Voltage
Gate Resistance
C OSS
C RSS
Q G(TOT)
Q G(TOT)
Q G(TH)
Q GS
Q GD
V GP
R G
V GS = 0 V, f = 1 MHz, V DS = 25 V
V GS = 10 V, V DS = 48 V; I D = 10 A
V GS = 4.5 V, V DS = 48 V; I D = 10 A
150
96
30
15
1.0
4.0
8.0
3.0
0.62
pF
nC
V
W
SWITCHING CHARACTERISTICS (Note 6)
Turn ? On Delay Time
t d(ON)
12
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = 4.5 V, V DS = 48 V,
I D = 10 A, R G = 2.5 W
25
20
10
ns
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 10 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.79
0.65
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
19
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dIS/dt = 100 A/ m s,
I S = 10 A
13
6.0
15
ns
nC
5. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
http://onsemi.com
2
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