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参数资料
| 型号： | NVMFS5844NLT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 11.2S SO-8FL |
| 标准包装： | 650 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1460pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.7W |
| 安装类型： | * |
| 封装/外壳： | * |
| 供应商设备封装： | * |
| 包装： | * |
NTMFS5844NL, NVMFS5844NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
1800
1600
1400
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
Q T
1200
1000
6
800
600
400
200
0
0
C oss
C rss
10
20
30
40
50
60
4
2
0
0
Q gs
5
Q gd
10
15
20
V DS = 48 V
I D = 10 A
T J = 25 ° C
25
30
1000
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
40
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
100
V DD = 48 V
I D = 10 A
V GS = 4.5 V
30
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
t f
t d(on)
t d(off)
20
10
10
1
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
50
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
100
10
V GS = 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
10 m s
40
30
10 ms
20
1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
10
Package Limit
0.1
0.1
1 10
100
0
25
50 75 100 125 150
175
V DS , DRAISN VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NVMFS5844NLT3G | 功能描述:MOSFET SO8FL 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVMFS5885NLT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVMFS5885NLT3G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NFET SO8FL 60V 39A 15MOHM |
| NVMS10P02R2G | 功能描述:MOSFET PFET SO8S 20V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVMS4816NR2G | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:* 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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