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参数资料
| 型号： | NVTFS4823NTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MSOFET N-CH 30V 30A 8WDFN |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10.5 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NVTFS4823N
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
Duty Cycle = 0.5
10
0.1
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
PULSE TIME (sec)
Figure 13. Thermal Response
DEVICE ORDERING INFORMATION
Device
NVTFS4823NTAG
NVTFS4823NWFTAG
NVTFS4823NTWG
NVTFS4823NWFTWG
Marking
4823
23WF
4823
23WF
Package
WDFN8
(Pb ? Free)
WDFN8
(Pb ? Free)
WDFN8
(Pb ? Free)
WDFN8
(Pb ? Free)
Shipping ?
1500 / Tape & Reel
1500 / Tape & Reel
5000 / Tape & Reel
5000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NVTFS4823NTWG | 功能描述:MOSFET Single N-Channel 30V,10A,10.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NVTFS4823NWFTAG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET U8FL 30V 30A 10.5MOH - Tape and Reel |
| NVTFS4823NWFTWG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET U8FL 30V 30A 10.5MOH - Tape and Reel |
| NVTFS4824N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 4.7 m, 46 A, Single Na??Channel |
| NVTFS4824NTAG | 功能描述:MOSFET NFET U8FL 30V 69A 7.5M OHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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