参数资料
型号: NVTFS4824NTAG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN
标准包装: 1,500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 18.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.7 毫欧 @ 23A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1740pF @ 12V
功率 - 最大: 3.2W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 8-WDFN(3.3x3.3)
包装: 带卷 (TR)
NVTFS4824N
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
Duty Cycle = 0.5
0.2
1
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.01
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
PULSE TIME (sec)
Figure 13. Thermal Response
DEVICE ORDERING INFORMATION
Device
NVTFS4824NTAG
NVTFS4824NWFTAG
NVTFS4824NTWG
NVTFS4824NWFTWG
Marking
4824
24WF
4824
24WF
Package
WDFN8
(Pb ? Free)
WDFN8
(Pb ? Free)
WDFN8
(Pb ? Free)
WDFN8
(Pb ? Free)
Shipping ?
1500 / Tape & Reel
1500 / Tape & Reel
5000 / Tape & Reel
5000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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NVTFS4824NTWG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.2A 8WDFN RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
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