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参数资料
| 型号： | NZ48F4L0QTY |
| 厂商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | StrataFlash Wireless Memory |
| 中文描述： | 无线的StrataFlash存储器 |
| 文件页数： | 12/106页 |
| 文件大小： | 1272K |
| 代理商： | NZ48F4L0QTY |
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Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
April 2005
12
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Order Number: 251902, Revision: 009
Datasheet
3.0
Package Information
3.1
VF BGA Packages
Figure 1.
64- and 128-Mbit, 56-Ball VF BGA Package Drawing and Dimensions
E
Seating
Plane
Top View - Ball Side Down
Bottom View - Ball Side Up
Y
A
A1
D
A2
A1 Index
Mark
S1
S2
e
b
A1 Index
Mark
A
B
C
D
E
F
G
8
7
6
5
4
3
2
1
8
7
6
5
4
3
2
1
A
B
C
D
E
F
G
Note: Drawing not to scale
Side View
Millimeters
Nom
Inches
Nom
Dimensions
Package Height
Ball Height
Package Body Thickness
Ball (Lead) Width
Package Body Length (64Mb, 128Mb)
Package Body Width (64Mb, 128Mb)
Pitch
Ball (Lead) Count
Seating Plane Coplanarity
Corner to Ball A1 Distance Along D
Corner to Ball A1 Distance Along E
Symbol
A
A1
A2
b
D
E
e
N
Y
S1
S2
Min
Max
1.000
Notes
Min
Max
0.0394
0.150
0.0059
0.665
0.375
7.700
9.000
0.750
56
0.0262
0.0148
0.3031
0.3543
0.0295
56
0.325
7.600
8.900
0.425
7.800
9.100
0.0128
0.2992
0.3504
0.0167
0.3071
0.3583
0.100
1.325
2.350
0.0039
0.0522
0.0925
1.125
2.150
1.225
2.250
0.0443
0.0846
0.0482
0.0886
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NZ48F4L0QTZ | StrataFlash Wireless Memory |
| NZD560A | NPN Low Saturation Transistor |
| NZF220DFT1G | EMI Filter with ESD Protection |
| NZF220TT1 | EMI Filter with ESD Protection(带ESD保护功能的EMI滤波器) |
| NZL5V1AXV3T1 | Zener Voltage Regulators (SC-89 Dual Common Anode Zeners for ESD Protection) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NZ48F4L0QTZ | 制造商:INTEL 制造商全称:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| NZ600N18K | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| NZ9F10VST5G | 功能描述:稳压二极管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| NZ9F10VT5G | 功能描述:稳压二极管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| NZ9F11VST5G | 功能描述:稳压二极管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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