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参数资料
| 型号： | NZ48F4L0QTZ |
| 厂商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | StrataFlash Wireless Memory |
| 中文描述： | 无线的StrataFlash存储器 |
| 文件页数： | 18/106页 |
| 文件大小： | 1272K |
| 代理商： | NZ48F4L0QTZ |
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Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
April 2005
18
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Order Number: 251902, Revision: 009
Datasheet
4.1.2
SCSP Package Ballout
The L18 wireless memory in QUAD+ ballout device is available in an 88-ball (80-active ball)
Stacked Chip Scale Package (SCSP) for the 128- and 256-Mbit devices. For Mechanical
Information, refer to
Section 3.0, “Package Information” on page 12
.
88-Ball (80-Active Ball) SCSP Package Ballout
Figure 7.
F lash specific
SRAM /PSRAM specific
G lobal
L egen d :
T o p View - Ball Sid e Dow n
8
7
6
5
4
3
2
1
A
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F-VPP,
F-VPEN
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F-WE#
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WAIT
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F1-CE#
P-Mode
VSS
VSS
VSS
P2-CS#
F1-VCC
F2-VCC
VCCQ
F3-CE#
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D11
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F1-O E#
F2-OE#
P-VCC
S-CS2
R-WE#
R-UB#
R-LB#
R-OE#
S-VCC
S-CS1#
F1-VCC
F-WP#
ADV#
F-RST#
F2-CE#
VCCQ
VSS
VSS
VCCQ
VSS
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NZD560A | NPN Low Saturation Transistor |
| NZF220DFT1G | EMI Filter with ESD Protection |
| NZF220TT1 | EMI Filter with ESD Protection(带ESD保护功能的EMI滤波器) |
| NZL5V1AXV3T1 | Zener Voltage Regulators (SC-89 Dual Common Anode Zeners for ESD Protection) |
| NZL5V6AXV3T1 | Zener Voltage Regulators(齐纳稳压管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NZ600N18K | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| NZ9F10VST5G | 功能描述:稳压二极管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| NZ9F10VT5G | 功能描述:稳压二极管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| NZ9F11VST5G | 功能描述:稳压二极管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| NZ9F11VT5G | 功能描述:稳压二极管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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