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参数资料
| 型号： | NZ48F4L0QTZ |
| 厂商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | StrataFlash Wireless Memory |
| 中文描述： | 无线的StrataFlash存储器 |
| 文件页数： | 6/106页 |
| 文件大小： | 1272K |
| 代理商： | NZ48F4L0QTZ |
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Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
April 2005
6
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Order Number: 251902, Revision: 009
Datasheet
Revision History
Revision Date
Revision
Description
10/15/02
-001
Initial Release
01/20/03
-002
Revised 256-Mbit Partition Size
Revised 256-Mbit Memory Map
Change WAIT function to de-assert during Asynchronous Operations (Asynchronous Reads and all
Writes)
Change WAIT function to active during Synchronous Non-Array Read
Updated all Waveforms to reflect new WAIT function
Revised Section 8.2.2
Added Synchronous Read to Write transition Section
Improved 1.8 Volt I/O Bin 2 speed to 95ns from 105ns
Added new AC specs: R15, R16, R17, R111, R311, R312, W21, and W22
Various text edits
04/11/03
-003
Added SCSP for 128/0 and 256/0 Ball-out and Mechanical Drawing
08/04/03
-004
Changed I
CCS
and I
CCR
values
Added 256-Mbit AC Speed
Changed Program and Erase Spec
Combined the Buffered Programming Flow Chart and Read While Buffered programming Flow
Chart
Revised Read While Buffered Programming Flow Chart
Revised Appendix A Write State Machine
Revised CFI Table 21 CFI Identification
Various text edits.
01/20/04
-005
Various text clarifications, various text edits, block locking state diagram clarification, synchronous
read to write timing clarification, write to synchronous read timing clarification
05/22/04
-006
Minor text edits
Changed Capacitance values
Changed Standby Current (typ), Power Down Current (typ), Erase Suspend Current (typ), and
Automatic Power Savings Current (typ)
Updated Transient Equialent Testing Load Circuit
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NZD560A | NPN Low Saturation Transistor |
| NZF220DFT1G | EMI Filter with ESD Protection |
| NZF220TT1 | EMI Filter with ESD Protection(带ESD保护功能的EMI滤波器) |
| NZL5V1AXV3T1 | Zener Voltage Regulators (SC-89 Dual Common Anode Zeners for ESD Protection) |
| NZL5V6AXV3T1 | Zener Voltage Regulators(齐纳稳压管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NZ600N18K | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| NZ9F10VST5G | 功能描述:稳压二极管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| NZ9F10VT5G | 功能描述:稳压二极管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| NZ9F11VST5G | 功能描述:稳压二极管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
| NZ9F11VT5G | 功能描述:稳压二极管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齐纳电压:12 V 电压容差:5 % 电压温度系数:0.075 % / K 齐纳电流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄电流:3 uA 最大齐纳阻抗:7 Ohms 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DO-214AC 封装:Reel |
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