参数资料
| 型号： | NZQA6V8XV5T2 |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC TVS ARRAY QUAD ESD SOT-553 |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 4,000 |
| 电压 - 反向隔离（标准值）： | 4.3V |
| 电压 - 击穿： | 6.46V |
| 功率（瓦特）： | 100W |
| 电极标记： | 4 通道阵列 - 单向 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-553 |
| 供应商设备封装： | SOT-553 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NZQA5V6XV5T1G Series
110
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
c ? t
t d = I PP /2
WAVEFORM
PARAMETERS
t r = 8 m s
t d = 20 m s
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
5
10
15
20
25
30
0
0
25
50
75
100
125
150
14
t, TIME ( m s)
Figure 1. Pulse Waveform
100
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 2. Power Derating Curve
12
10
8
NZQA6V2XV5T1
NZQA6V8XV5T1
NZQA5V6XV5T1
90
80
70
60
50
6
4
2
40
30
20
10
0
1
3
5
7
9 10 11
12.5 13.5
0
5.3
5.6
5.9
6.2
6.5
6.8
7.1
I PP , PEAK PULSE CURRENT (A)
Figure 3. Clamping Voltage versus
Peak Pulse Current
http://onsemi.com
3
V BR , BREAKDOWN VOLTAGE (V)
Figure 4. Typical Capacitance
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0034.5621.22 | FUSE 2.5A 250V TLAG 5X20 SMD T/R |
| NZQA6V8AXV5T3 | IC TVS ARRAY QUAD ESD SOT-553 |
| 2-5535512-3 | CONN RECEPT 32POS .100 RT/A DUAL |
| NZQA6V8AXV5T2 | IC TVS ARRAY QUAD ESD SOT-553 |
| NZQA5V6XV5T3G | IC TVS ARRAY QUAD ESD SOT-553 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NZSMB15CAT3 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN SMB TVS CLP 400W SPCL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| NZSMB15CAT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN SMB TVS CLP 400W SPCL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| NZSMB30CAT3 | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN SMB TVS CLP 400W SPCL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| NZSMB30CAT3G | 功能描述:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 ZEN SMA TVS CLP 400W SPCL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 极性:Bidirectional 工作电压: 击穿电压:58.9 V 钳位电压:77.4 V 峰值浪涌电流:38.8 A 系列: 封装 / 箱体:DO-214AB 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C |
| NZT44H8 | 功能描述:两极晶体管 - BJT NPN Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
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