参数资料
型号: OD-850L
厂商: Opto Diode Corp
文件页数: 2/2页
文件大小: 0K
描述: EMITTER IR 850NM TO-46
标准包装: 100
电流 - DC 正向(If): 100mA
辐射强度(le)最小值@正向电流: 35mW @ 100mA
波长: 850nm
正向电压: 1.6V
视角: 70°
方向: 顶视图
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-46-2 透镜顶部金属罐
包装: 散装
其它名称: 958-1001
HIGH-POWER GaAlAs IR EMITTERS
OD-850L
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
THERMAL DERATING CURVE
INFINITE
HEAT SINK
NO
HEAT SINK
0
25
50
75
100
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
I F = 100mA
100
90
80
DEGRADATION CURVE
I F = 20mA
I F = 50mA
I F = 100mA
(-3 σ )
100
80
60
RADIATION PATTERN
70
40
60
50
T CASE = 25°C
NO PRE BURN-IN PERFORMED
20
0
10 1
10 2
10 3
10 4
10 5
–50
–40
–30
–20
–10 0 10 20
30
40
50
STRESS TIME, (hrs)
BEAM ANGLE, θ (deg)
100
SPECTRAL OUTPUT
1.5
POWER OUTPUT vs TEMPERATURE
1.4
80
60
40
20
0
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
750
800
850
900
950
–50
–25
0 25 50
75
100
WAVELENGTH, λ (nm)
AMBIENT TEMPERATURE (°C)
100
POWER OUTPUT vs FORWARD CURRENT
10
DC
1
10
100
FORWARD CURRENT, I F (mA)
750 Mitchell Road, Newbury Park, California 91320
Phone: (805) 499-0335, Fax: (805) 499-8108
Email: sales@optodiode.com, Website: www.optodiode.com
Revision February 26, 2013
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PDF描述
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