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参数资料
| 型号： | OP223TXV |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 4/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | DIODE IR HERMETIC GAAIAS PILL |
| 产品培训模块： | LED Thermal Management |
| 标准包装： | 1 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 波长： | 890nm |
| 正向电压： | 1.8V |
| 视角： | 24° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 微型粒状 |
| 包装： | 散装 |
Hermetic Infrared Emitting Diode
OP123, OP124
OP223, OP224
OP223, OP224
Forward Voltage vs Forward Current vs
1.8
1.7
Temperature
2.0
1.8
Optical Power vs I F vs Temperature
Normalized at 50 mA and 20° C
1.6
1.5
1.4
1.6
1.4
1.2
1.0
-60° C
-40° C
-20° C
0° C
20° C
40° C
60° C
80° C
100° C
120° C
1.3
0.8
1.2
1.1
1.0
0.9
-60° C
-40° C
-20° C
0° C
20° C
40° C
60° C
80° C
100° C
120°C
0.6
0.4
0.2
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
6
5
Forward Current (mA)
Distance vs Output Power vs Forward Current
Normalized at 1" and 50 mA
Forward Current
1.1
1.0
0.9
0.8
Forward Current I F (mA)
Normalized Intensity vs Beam Angle
4
3
2
1
10 mA
20 mA
30 mA
40 mA
50 mA
60 mA
70 mA
80 mA
90 mA
100 mA
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.2 ''
0.4 ''
0.6 ''
0.8 ''
1.0 ''
1.2 ''
1.4 ''
1.6 ''
1.8 ''
2.0 ''
0.0
-45
-35
-25
-15
-5
5
15
25
35
45
Distance (inches)
Normalized Intensity
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Issue A 05/07
Page 4 of 4
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P51-1500-S-N-D-20MA | SENSOR 1500PSIS 1.2 UNF 4-20MA |
| P51-1000-S-N-D-20MA | SENSOR 1000PSIS 1.2 UNF 4-20MA |
| OP224TXV | DIODE IR HERMETIC GAAIAS PILL |
| P51-750-S-N-D-20MA | SENSOR 750PSIS 1.2 UNF 4-20MA |
| OP223TX | DIODE IR HERMETIC GAAIAS PILL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP224 | 功能描述:红外发射源 Hermetic 890nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| OP224K | 功能描述:红外发射源 H. Speed/Power Hrmtc Infrared Emit Diode RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| OP224S | 功能描述:红外发射源 Infrared 890nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| OP224TX | 功能描述:红外发射源 890NM 100mW 100mA RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| OP224TXV | 功能描述:红外发射源 890NM 100mW 100mA RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
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