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参数资料
| 型号： | OP293B |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LED IR 890NM PLASTIC WIDE TO-46 |
| 产品培训模块： | LED Thermal Management |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | OP290 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 2A |
| 波长： | 890nm |
| 正向电压： | 2V |
| 视角： | 60° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-18-2 |
| 产品目录页面： | 2789 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 365-1059 |
Plastic Infrared Emitting Diode
OP290 Series
OP290, OP291, OP292, OP293, OP294, (A, C)
Forward Voltage vs Forward Current vs Temp.
Optical Power vs Forward Current vs Temperature
1.8
-40° C
3.5
-40° C
1.6
1.4
-20° C
0° C
20° C
40° C
60° C
80°C
100°C
3.0
2.5
2.0
-20° C
0° C
20° C
40° C
60° C
80° C
100°C
Normalized at 50 mA and 20°C
1.5
1.2
1.0
1.0
0.5
0.8
0.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
10
20
30
40 50 60 70
80
90
100
6
Forward Current (mA)
Distance vs Output Power vs Forward Current
1.0
Forward Current (mA)
Relative Radiant Intensity vs. Angular
Displacement
Normalized at 1" and 50 mA
0.9
5
4
3
2
1
0
Forward Current
10 mA
20 mA
30 mA
40 mA
50 mA
60 mA
70 mA
80 mA
90 mA
100 mA
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.2 '' 0.4 '' 0.6 '' 0.8 '' 1.0 '' 1.2 '' 1.4 '' 1.6 '' 1.8 '' 2.0 ''
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
Distance (inches)
Angular Displacement (Degrees)
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Issue C 03/2012
Page 6 of 8
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP301SL | PHOTOTRNS SILICN NPN HERMET PILL |
| OP501DA | PHOTODARLINGTON NPN BLK 0805 SMD |
| OP505C | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 |
| OP505W | PHOTOTRANSMITTER SILICON NPN T-1 |
| OP506D | PHOTOTRANSMITTER SILICON NPN T-1 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP293B | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:INFRARED LIGHT EMITTING DIODE 890 NM wA |
| OP293C | 功能描述:红外发射源 Infrared 890nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| OP293EP | 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:Precision, Micropower Operational Amplifiers |
| OP293ES | 功能描述:IC OPAMP GP 35KHZ DUAL 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:2,500 系列:Excalibur™ 放大器类型:J-FET 电路数:1 输出类型:- 转换速率:45 V/µs 增益带宽积:10MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:20pA 电压 - 输入偏移:490µV 电流 - 电源:1.7mA 电流 - 输出 / 通道:48mA 电压 - 电源，单路/双路(±):4.5 V ~ 38 V，±2.25 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| OP293ES-REEL | 功能描述:IC OPAMP GP 35KHZ DUAL 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:2,500 系列:Excalibur™ 放大器类型:J-FET 电路数:1 输出类型:- 转换速率:45 V/µs 增益带宽积:10MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:20pA 电压 - 输入偏移:490µV 电流 - 电源:1.7mA 电流 - 输出 / 通道:48mA 电压 - 电源，单路/双路(±):4.5 V ~ 38 V，±2.25 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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