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参数资料
| 型号： | OP293B |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | LED IR 890NM PLASTIC WIDE TO-46 |
| 产品培训模块： | LED Thermal Management |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | OP290 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 2A |
| 波长： | 890nm |
| 正向电压： | 2V |
| 视角： | 60° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-18-2 |
| 产品目录页面： | 2789 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 365-1059 |
Plastic Infrared Emitting Diode
OP290 Series
OP295, OP296, OP297, OP298, OP299
Forward Voltage vs Forward Current vs Temp.
Optical Power vs I F vs Temperature
1.8
1.7
1.6
3.5
3.0
2.5
-60° C
-40° C
-20° C
0° C
20° C
40° C
60° C
80° C
100° C
120° C
Normalized at 50 mA and 20° C
1.5
1.4
1.3
2.0
1.5
1.2
1.1
1.0
-60° C
-40° C
-20° C
0° C
20° C
40° C
60° C
80° C
100° C
1.0
0.5
0.9
0
10
20
30
40
50
60
70
120°C
80
90
100
0.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
6
Forward Current (mA)
Distance vs Output Power vs Forward Current
1.0
Forward Current I F (mA)
Relative Radiant Intensity vs. Angular
Displacem ent
Normalized at 1" and 50 mA
0.9
5
4
3
2
Forward Current
10 mA
20 mA
30 mA
40 mA
50 mA
60 mA
70 mA
80 mA
90 mA
100 mA
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
1
0.1
0
0.2 '' 0.4 '' 0.6 '' 0.8 '' 1.0 '' 1.2 '' 1.4 '' 1.6 '' 1.8 '' 2.0 ''
0.0
-40
-30
-20
-10
0
10
20
30
40
Distance (inches)
Angular Displacement (Degrees)
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue C
03/2012
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP301SL | PHOTOTRNS SILICN NPN HERMET PILL |
| OP501DA | PHOTODARLINGTON NPN BLK 0805 SMD |
| OP505C | PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 |
| OP505W | PHOTOTRANSMITTER SILICON NPN T-1 |
| OP506D | PHOTOTRANSMITTER SILICON NPN T-1 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP293B | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:INFRARED LIGHT EMITTING DIODE 890 NM wA |
| OP293C | 功能描述:红外发射源 Infrared 890nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波长:880 nm 射束角:+/- 25 辐射强度: 最大工作温度:+ 100 C 最小工作温度:- 40 C 封装 / 箱体:Side Looker 封装:Bulk |
| OP293EP | 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:Precision, Micropower Operational Amplifiers |
| OP293ES | 功能描述:IC OPAMP GP 35KHZ DUAL 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:2,500 系列:Excalibur™ 放大器类型:J-FET 电路数:1 输出类型:- 转换速率:45 V/µs 增益带宽积:10MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:20pA 电压 - 输入偏移:490µV 电流 - 电源:1.7mA 电流 - 输出 / 通道:48mA 电压 - 电源，单路/双路(±):4.5 V ~ 38 V，±2.25 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| OP293ES-REEL | 功能描述:IC OPAMP GP 35KHZ DUAL 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:2,500 系列:Excalibur™ 放大器类型:J-FET 电路数:1 输出类型:- 转换速率:45 V/µs 增益带宽积:10MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:20pA 电压 - 输入偏移:490µV 电流 - 电源:1.7mA 电流 - 输出 / 通道:48mA 电压 - 电源，单路/双路(±):4.5 V ~ 38 V，±2.25 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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