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参数资料
| 型号： | OP293C |
| 厂商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 红外LED |
| 英文描述： | GaAlAs Plastic Infrared Emitting Diodes |
| 中文描述： | 4.65 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 890 nm |
| 封装： | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-18, 2 PIN |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 515K |
| 代理商： | OP293C |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| OP293 | GaAlAs Plastic Infrared Emitting Diode(铝砷化镓塑料封装红外发光二极管,宽入射模式) |
| OP294 | GaAlAs Plastic Infrared Emitting Diode |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP293EP | 制造商:AD 制造商全称:Analog Devices 功能描述:Precision, Micropower Operational Amplifiers |
| OP293ES | 功能描述:IC OPAMP GP 35KHZ DUAL 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:2,500 系列:Excalibur™ 放大器类型:J-FET 电路数:1 输出类型:- 转换速率:45 V/µs 增益带宽积:10MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:20pA 电压 - 输入偏移:490µV 电流 - 电源:1.7mA 电流 - 输出 / 通道:48mA 电压 - 电源，单路/双路(±):4.5 V ~ 38 V，±2.25 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| OP293ES-REEL | 功能描述:IC OPAMP GP 35KHZ DUAL 8SOIC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:2,500 系列:Excalibur™ 放大器类型:J-FET 电路数:1 输出类型:- 转换速率:45 V/µs 增益带宽积:10MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:20pA 电压 - 输入偏移:490µV 电流 - 电源:1.7mA 电流 - 输出 / 通道:48mA 电压 - 电源，单路/双路(±):4.5 V ~ 38 V，±2.25 V ~ 19 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| OP293ES-REEL7 | 制造商:Analog Devices 功能描述:OP Amp Dual GP 制造商:Analog Devices 功能描述:OP Amp Dual GP ±18V/36V 8-Pin SOIC N T/R |
| OP293ESZ | 功能描述:IC OPAMP GP 35KHZ DUAL 8SOIC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> Linear - Amplifiers - Instrumentation 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 放大器类型:通用 电路数:4 输出类型:- 转换速率:0.6 V/µs 增益带宽积:1MHz -3db带宽:- 电流 - 输入偏压:45nA 电压 - 输入偏移:2000µV 电流 - 电源:1.4mA 电流 - 输出 / 通道:40mA 电压 - 电源，单路/双路(±):3 V ~ 32 V，±1.5 V ~ 16 V 工作温度:0°C ~ 70°C 安装类型:表面贴装 封装/外壳:14-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） 供应商设备封装:14-TSSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:LM324ADTBR2G-NDLM324ADTBR2GOSTR |
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