参数资料
型号: OP501
厂商: TT Electronics/Optek Technology
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: PHOTOTRANSISTOR NPN BLK 0805 SMD
标准包装: 1
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 30V
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 20mA
电流 - 暗 (Id)(最大): 100nA
波长: 935nm
视角: 150°
功率 - 最大: 75mW
安装类型: 表面贴装
方向: 顶视图
封装/外壳: 0805(2012 公制)
产品目录页面: 2789 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 365-1478-6
Silicon Phototransistor and Photo Darlington
in Miniature 0805 SMD Package
OP500, OP501, OP500DA, OP501DA
Relative Response vs. Wavelength
100%
80%
60%
OP500,
40%
20%
0%
OP500DA
OP501,
OP501DA
400
500
600
700
800
900
1000 1100
Wavelength (nm)
OP500, OP501
Collector-Emitter Dark Current
vs. Temperature-T A
Relative On-State Collector Current –
Ic (mA)
vs. Collector-Emitter Voltage—V CE (V)
1000
Conditions: E e = 0 mW/cm 2
V CE = 10V
2.00
1.80
1.60
3 mW/cm 2
100
10
1
0
1.40
1.20
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
2.5 mW/cm 2
2 mW/cm 2
1.5 mW/cm 2
1.0 mW/cm 2
0.5 mW/cm 2
-25
0
25
50
75
100
0
1
2
3
4
5
Temperature—(°C)
Collector-Emitter Voltage (V)
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue A.4 02/09
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参数描述
OP501DA 功能描述:光电晶体管 Photo Darlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
OP501SLA 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DOME-3.0
OP501SLB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DOME-3.0
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OP501SLD 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DOME-3.0