参数资料
型号: OP501
厂商: TT Electronics/Optek Technology
文件页数: 5/5页
文件大小: 0K
描述: PHOTOTRANSISTOR NPN BLK 0805 SMD
标准包装: 1
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 30V
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 20mA
电流 - 暗 (Id)(最大): 100nA
波长: 935nm
视角: 150°
功率 - 最大: 75mW
安装类型: 表面贴装
方向: 顶视图
封装/外壳: 0805(2012 公制)
产品目录页面: 2789 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 365-1478-6
Silicon Phototransistor and Photo Darlington
in Miniature 0805 SMD Package
OP500, OP501, OP500DA, OP501DA
OP500DA, OP501DA
160%
130%
Relative On-State Collector Current
vs. Irradiance—Ee (mW/cm 2 )
Normalized at E e = 1mW/cm 2
Conditions: V CE = 5V,
λ = 935nm, T A = 25 °C
140%
120%
100%
80%
60%
40%
Relative On-State Collector Current-IC (mA)
vs. Temperature-T A
140%
Normalized at T A = 25°C .
Conditions: V CE = 5V,
120%
110%
100%
90%
80%
70%
0
0.50
1.0
1.5
2.0
-25
0
25
50
75
100
Irradiance- Ee(mW/cm )
2
Temperature—(°C)
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue A.4 02/09
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参数描述
OP501DA 功能描述:光电晶体管 Photo Darlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
OP501SLA 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DOME-3.0
OP501SLB 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DOME-3.0
OP501SLC 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DOME-3.0
OP501SLD 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DOME-3.0