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参数资料
| 型号： | OP501DA |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTODARLINGTON NPN BLK 0805 SMD |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 35V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 32mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 935nm |
| 视角： | 150° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 0805（2012 公制） |
| 产品目录页面： | 2789 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 365-1480-1 |
Silicon Phototransistor and Photo Darlington
in Miniature 0805 SMD Package
OP500, OP501, OP500DA, OP501DA
OP500, OP501
Relative On-State Collector Current
vs. Irradiance—Ee (mW/cm 2 )
Relative On-State Collector Current-IC (mA)
vs. Temperature-T A
160%
140%
120%
100%
80%
60%
40%
20%
Normalized at E e = 5mW/cm 2
Conditions: V CE = 5V,
λ = 935nm, T A = 25 °C
140%
130%
120%
110%
100%
90%
80%
70%
Normalized at T A = 25°C .
Conditions: V CE = 5V,
λ = 935nm, T A = 25 °C
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
-25
0
25
50
75
100
Ee—Irradiance (mW/cm )
2
OP500DA, OP501DA
Temperature—(°C)
Relative On-State Collector Current –
Collector-Emitter Dark Current
vs. Temperature-T A
Ic (mA)
vs. Collector-Emitter Voltage—V CE (V)
1000
100
Conditions: E e = 0 mW/cm 2
V CE = 10V
30
25
20
1.2 mW/cm 2
1.0 mW/cm 2
0.8 mW/cm 2
17.5
10
1
15.0
12.5
0.6 mW/cm 2
0.4 mW/cm 2
0
10.0
0.2 mW/cm 2
-25
0
25
50
75
100
0
0.5
1.0
1.5
2.5
3
Temperature—(°C)
Collector-Emitter Voltage (V)
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Issue A.4 02/09
Page 4 of 5
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| OP501SLB | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DOME-3.0 |
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