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参数资料
| 型号： | OP501SRD |
| 英文描述： | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 930NM PEAK WAVELENGTH | LED-2B |
| 中文描述： | 光电晶体管|叩| 930NM峰值波长|发光二极管- 2B卫星 |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 164K |
| 代理商： | OP501SRD |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP505A | Infrared Selected NPN Silicon Phototransistors |
| OP505B | Infrared Selected NPN Silicon Phototransistors |
| OP505C | Infrared Selected NPN Silicon Phototransistors |
| OP505D | Infrared Selected NPN Silicon Phototransistors |
| OP505W | NPN SILICON PHOTOTRANSISTOR |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP505A | 功能描述:光电晶体管 PHOTOSENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP505A | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:OPTICAL SENSOR PHOTODET |
| OP505B | 功能描述:光电晶体管 Narrow Rcvng Angle 935nm RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP505C | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP505D | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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