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参数资料
| 型号： | OP505D |
| 厂商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | Infrared Selected NPN Silicon Phototransistors |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 91K |
| 代理商： | OP505D |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP505W | NPN SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| OP506A | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP506B | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP506C | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP506D | NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP505D | 制造商:TT Electronics / OPTEK Technology 功能描述:PHOTOSENSOR PHOTOTRANSISTOR OuTPuT IRR |
| OP505W | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP506A | 功能描述:光电晶体管 PHOTOSENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP506B | 功能描述:光电晶体管 PHOTOSENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP506C | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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