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参数资料
| 型号： | OP560A |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTODARL SILICON NPN SIDE LOOK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 15V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 9.8mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 935nm |
| 视角： | 56° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 侧视图 |
| 封装/外壳： | 径向 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP775A | PHOTOTRNS NPN W/CAP SIDE LOOK |
| SH162P144 | EMI/RFI MINI-MIZER STR SGL END |
| OP775D | PHOTOTRNS NPN W/CAP SIDE LOOK |
| NTD6416ANLT4G | MOSFET N-CH 100V 19A DPAK |
| FQD2N80TM | MOSFET N-CH 800V 1.8A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP560B | 功能描述:光电晶体管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP560C | 功能描述:光电晶体管 Photodarlington RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP563/ABD,029 | 功能描述:MOSFET OP563/UNCASED/PUTA// RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| OP564,005 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
| OP565 | 制造商:OPTEK 制造商全称:OPTEK 功能描述:NPN SILICON PHOTODARLINGTON |
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