型号: | OP600B |
厂商: | OPTEK TECHNOLOGY INC |
元件分类: | 光敏三极管 |
英文描述: | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶体管,宽接收角,集电极最小电流0.60mA) |
中文描述: | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
文件页数: | 2/2页 |
文件大小: | 271K |
代理商: | OP600B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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OP600C | NPN Silicon Phototransistor(NPN光敏晶体管,窄接收角,集电极最小电流0.30mA) |
OP601 | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DO-31VAR |
OP602TX | Hi- Reliability NPN Silicon Phototransistors |
OP602V | Hi- Reliability NPN Silicon Phototransistors |
OP603TX | Hi- Reliability NPN Silicon Phototransistors |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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OP600C | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
OP601 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | DO-31VAR |
OP602 | 制造商:OPTEK 制造商全称:OPTEK 功能描述:NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
OP602TX | 功能描述:光电晶体管 Pill, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
OP602TXV | 功能描述:光电晶体管 Pill, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |