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参数资料
| 型号： | OP602TX |
| 厂商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | 光敏三极管 |
| 英文描述： | Hi- Reliability NPN Silicon Phototransistors |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封装： | HERMETIC SEALED, PILL PACKAGE-2 |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 175K |
| 代理商： | OP602TX |
Types OP602TX/V, OP603TX/V, OP604TX/V, OP604S
Elec ri cal Char ac er s ics
(T
A
= 25
o
C un ess oth er wise noted)
Op ek re serves the right to make changes at any time in or der to im prove de sign and to sup ply the best prod uct pos si ble.
Op ek Tech nol ogy, Inc. 1215 W. Crosby Road Car oll on, Texas 75006 (972)323- 2200 Fax (972)323- 2396
13-31
Sym bol
Pa rame er
Min
Typ
Max
Units
Test Con di ions
I
C(on)
On-State Collector Current
OP602TX,TXV
OP603TX,TXV
OP604TX,TXV, S
2.0
4.0
7.0
5.0
8.0
mA
mA
mA
V
CE
= 5.0 V, E
e
= 20 mW/cm
2(3)(4)
V
CE
= 5.0 V, E
e
= 20 mW/cm
2(3)(4)
V
CE
= 5.0 V, E
e
= 20 mW/cm
2(3)(4)
I
CEO
Collector Dark Current
25
100
nA
μ
A
V
CE
= 10.0 V, E
e
= 0
V
CE
= 30.0 V, E
e
= 0, T
A
= 100
o
C
V
(BR)CEO
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50
V
I
C
= 100
μ
A, E
e
= 0
V
(BR)ECO
Emitter-Collector Breakdown Voltage
7.0
V
I
E
= 100
μ
A, E
e
= 0
V
CE(SAT)
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.40
V
I
C
= 0.4 mA, E
e
= 20 mW/cm
2(3)(4)
t
r
Rise Time
20.0
μ
s
V
CC
= 30 V, I
C
= 1.00 mA,
R
L
= 100
t
f
Fall Time
20.0
μ
s
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP602V | Hi- Reliability NPN Silicon Phototransistors |
| OP603TX | Hi- Reliability NPN Silicon Phototransistors |
| OP603V | Hi- Reliability NPN Silicon Phototransistors |
| OP604TX | Hi- Reliability NPN Silicon Phototransistors |
| OP604V | Hi- Reliability NPN Silicon Phototransistors |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP602TXV | 功能描述:光电晶体管 Pill, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP602V | 制造商:OPTEK 制造商全称:OPTEK 功能描述:Hi- Reliability NPN Silicon Phototransistors |
| OP603 | 制造商:OPTEK 制造商全称:OPTEK 功能描述:NPN SILICON PHOTOTRANSISTORS |
| OP603TX | 功能描述:光电晶体管 Pill NPN Silicon Photo RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP603TXV | 功能描述:光电晶体管 Pill, NPN silicon Photo transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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