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参数资料
| 型号： | OP800C |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 3/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18 |
| 标准包装： | 25 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 50mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 890nm |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | TO-206AA，TO-18-3 金属罐 |
NPN Silicon Phototransistor
OP800A, OP800B, OP800C, OP800D
Electrical Characteristics (T A = 25° C unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN
TYP
MAX
UNITS
TEST CONDITIONS
I C(ON)
(3)
On-State Collector Current
OP800D
OP800C
OP800B
0.45
0.90
1.80
-
-
-
-
3.60
5.40
mA
mA
mA
V CE = 5 V, E E = 0.5 mW/cm 2(4 )
OP800A
3.60
-
-
mA
I CEO
V (BR)CEO
V (BR)CBO
V (BR)ECO
V (BR)EBO
V CE(SAT)(3)
t r
t f
Collector Dark Current
Collector-Emitter Breakdown Voltage
Collector-Base Breakdown Voltage
Emitter-Collector Breakdown Voltage
Emitter-Base Breakdown Voltage
Collector-Emitter Saturation Voltage
Rise Time
Fall Time
-
30
30
5.0
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
7.0
7.0
100
-
-
-
-
0.40
-
-
nA
V
V
V
V
V
μs
μs
V CE = 10 V, E E = 0
I C = 100 μA
I C = 100 μA
I E = 100 μA
I E = 100 μA
I C = 0.15 mA, E E = 0.5 mW/cm 2(4)
V CC = 5 V, I C = 0.80 mA,
R L = 100 ? (See Test Circuit)
OPTEK reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
OPTEK Technology Inc. — 1645 Wallace Drive, Carrollton, Texas 75006
Phone: (972) 323-2200 or (800) 341-4747 FAX: (972) 323-2396 sensors@optekinc.com www.optekinc.com
Issue A 9/2010
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP800B | PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18 |
| OP800A | PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18 |
| OP305SL | PHOTOTRNS SILICN NPN HERMET PILL |
| OP304SL | PHOTOTRNS SILICN NPN HERMET PILL |
| OP802SL | PHOTOTRANS SILICON NPN HERM TO18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP800D | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP800SL | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP800WSL | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| OP801 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOTRANSISTOR | NPN | 875NM PEAK WAVELENGTH | CAN-4.7 |
| OP801SL | 功能描述:光电晶体管 Photo Transistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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