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参数资料
| 型号： | OP910W |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 1/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTODIODE SILICON FLAT TO-46 |
| 标准包装： | 1 |
| 波长： | 935nm |
| 光谱范围： | 600nm ~ 1100nm |
| 二极管类型： | 引脚 |
| 响应时间： | 10ns |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 暗（标准）： | 1nA |
| 视角： | 80° |
| 工作温度： | -65°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
Product Bulletin OP910W
December 1998
PIN Silicon Photodiode
Type OP910W
Dimensions are in inches (millimeters).
Features
? Wide receiving angle
? Fast switching time
? Linear response vs. irradiance
? Enhanced temperature range
Description
The OP910W consists of a PIN silicon
photodiode mounted in a two-leaded
hermetic TO-46 package. The flat lens
has an acceptance half angle of ± 40 o .
Absolute Maximum Ratings (T A = 25 o C unless otherwise noted)
Reverse Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65 o C to +150 o C
Operating Temperature Range . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -65 o C to +125 o C
Lead Soldering Temperature [1/16 inch (1.6mm) from case for 5 sec. with soldering
iron] . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200 o C (1)
Power Dissipation. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 250 mW
Notes:
(1) RMA Flux is recommended. Duration can be extended to 10 sec. max. when flow
soldering.
(2) Light source is an unfiltered GaAs LED with a peak wavelength of 935 nm and a radiometric
intensity level which varies less than 10% over the entire lens surface of the photodiode
being tested.
(3) Junction temperature maintained at 25 o C.
(4) To calculate typical dark current in nA, use the formula I D =10 (0.42 TA-1.5) where T A is
ambient temperature in o C.
(5) Derate linearly 2.5 mW/ o C above 25 o C.
Typical Performance Curves
Typical Spectral Response
Wavelength - nm
Optek Technology, Inc.
1215 W. Crosby Road
Carrollton, Texas 75006
(972) 323-2200
Fax (972) 323-2396
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP910 | PHOTODIODE SILICON DOME TO-46 |
| OP913SL | PHOTODIODE SILICON PIN TO-5 |
| OP950 | PHOTODIODE PIN 935NM SIDELOOK |
| OP954 | PHOTOTRANS SILICON PIN SIDE LOOK |
| OP955 | PHOTOTRANS SILICON PIN SIDE LOOK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP913SL | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP913WSL | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP915 | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP916 | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP950 | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
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