- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录496 > OP910W (TT Electronics/Optek Technology)PHOTODIODE SILICON FLAT TO-46 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | OP910W |
| 厂商： | TT Electronics/Optek Technology |
| 文件页数： | 2/2页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTODIODE SILICON FLAT TO-46 |
| 标准包装： | 1 |
| 波长： | 935nm |
| 光谱范围： | 600nm ~ 1100nm |
| 二极管类型： | 引脚 |
| 响应时间： | 10ns |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 100V |
| 电流 - 暗（标准）： | 1nA |
| 视角： | 80° |
| 工作温度： | -65°C ~ 125°C |
| 封装/外壳： | TO-46-2 透镜顶部金属罐 |
Type OP910W
Electrical Characteristics (T A = 25 o C unless otherwise noted)
SYMBOL
PARAMETER
MIN TYP MAX UNITS
TEST CONDITION
I L
Light Current
1.7
2.4
m A
V R = 20 V, E e = .50 mW/cm 2 note 2, 3
I D
Dark Current
1
10
nA
V R = 20 V, E e = 0.0
V (BR)R
t r
t f
?
C P
V F
Reverse Voltage Breakdown
Rise Time
Fall Time
Half Angle
Capacitance
Forward Voltage
100
10
10
+/-40
13
1.2
V
nS
nS
degr.
pF
V
I R = 100 m A
V R = 20 V, R L = 50 OHMS
V R = 20 V, R L = 50 OHMS
I F = Constant
V R = 0 V, F = 1 Mhz, E e = 0
I F = 100 mA
Typical Performance Curves
Normalized Light Current vs.
Reverse Voltage
Total Capacitance vs.
Reverse Voltage
Normalized Light and Dark
Current vs. Ambient Temperature
T A = 25 o C
T A = 25 o C
λ = 935 nm
T A = 25 o C
E e = 0 mW/cm 2
f = 1 MHz
V R = 5 V
λ = 935 nm
Normalized to
Light Current
Dark Current
V R - Reverse Voltage - V
Light Current vs. Irradiance
V R - Reverse Voltage - V
Switching Time Test Circuit
T A - Ambient Temperature - o C
Light Current vs.
Angular Displacement
q - Angular Displacement - Deg.
E e - Irradiance - mW/cm 2
Optek reserves the right to make changes at any time in order to improve design and to supply the best product possible.
Optek Technology, Inc. 1215 W. Crosby Road Carrollton, Texas 75006 (972)323-2200
22
Fax (972)323-2396
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP910 | PHOTODIODE SILICON DOME TO-46 |
| OP913SL | PHOTODIODE SILICON PIN TO-5 |
| OP950 | PHOTODIODE PIN 935NM SIDELOOK |
| OP954 | PHOTOTRANS SILICON PIN SIDE LOOK |
| OP955 | PHOTOTRANS SILICON PIN SIDE LOOK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| OP913SL | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP913WSL | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP915 | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP916 | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| OP950 | 功能描述:光电二极管 Photodiode RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。