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PH5C40J

配单专家企业名单
  • 型号
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  • 封装
  • 批号
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  • 说明
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  • PH5C40J
    PH5C40J

    PH5C40J

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-62962871629687318256329162961347

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 5000

  • SofTec Microsystems SRL

  • 标准封装

  • 16+

  • -
  • 百分百原装 假一罚十

  • 1/1页 40条/页 共3条 
  • 1
PH5C40J PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • PROG HEAD FOR MP8011A 40-DIP
  • RoHS
  • 类别
  • 编程器,开发系统 >> 过时/停产零件编号
  • 系列
  • -
  • 标准包装
  • 1
  • 系列
  • -
  • 类型
  • MCU
  • 适用于相关产品
  • Freescale MC68HC908LJ/LK(80-QFP ZIF 插口)
  • 所含物品
  • 面板、缆线、软件、数据表和用户手册
  • 其它名称
  • 520-1035
PH5C40J 技术参数
  • PH5330E,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.7 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):21nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2010pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK, 电源-SO8 标准包装:1 PH50S280-15 功能描述:Isolated Module DC DC Converter 1 Output 15V 3.4A 200V - 400V Input 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:PH-S 包装:- 零件状态:在售 类型:隔离模块 输出数:1 电压 - 输入(最小值):200V 电压 - 输入(最大值):400V 电压 - 输出 1:15V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出(最大值):3.4A 功率(W) - 制造系列:50W 电压 - 隔离:3kV(3000V) 应用:ITE(商业) 特性:远程开/关,OCP,OTP,OVP 安装类型:通孔 封装/外壳:模块 大小/尺寸:3.85" 长 x 2.83" 宽 x 0.50" 高(86.0mm x 72.0mm x 12.7mm) 工作温度:-20°C ~ 85°C 效率:- 功率(W) - 最大值:50W 标准包装:1 PH4840S,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 94.5A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:最後搶購 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):40V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):94.5A(Tc) 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):67nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3660pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):62.5W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.1 毫欧 @ 25A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:LFPAK56,Power-SO8 封装/外壳:SC-100,SOT-669 标准包装:1 PH4530L,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源极电压(Vdss):30V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):5.7 毫欧 @ 15A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):23.5nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1972pF @ 10V 功率 - 最大值:62.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供应商器件封装:LFPAK, 电源-SO8 标准包装:1 PH3N-76.2-25.4-0.07-1A 功能描述:Heat Sink Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) Copper Heat Spreader 制造商:t-global technology 系列:PH3n 零件状态:有效 类型:散热片 冷却封装:分类(BGA,LGA,CPU,ASIC……) 接合方法:胶合剂 形状:矩形 长度:3.000"(76.20mm) 宽度:1.000"(25.40mm) 直径:- 离基底高度(鳍片高度):0.003"(0.07mm) 不同温升时功率耗散:- 不同强制气流时的热阻:- 自然条件下热阻:- 材料:铜 材料镀层:聚酯 标准包装:1 PH600S280-3.3 PH600S280-48 PH600S280-5 PH6030AL,115 PH6030L,115 PH6-041 PH6-071 PH6325L,115 PH6530AL,115 PH6625E PH6664G PH7030AL,115 PH7030ALS,115 PH7030L,115 PH7-261 PH7261G PH7264H PH7323H
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