PMG8218TP

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

PMG8218TP
深圳市科翼源电子有限公司
深圳市科翼源电子有限公司
联系人：朱小姐
电话：13510998172
地址：振华路100号深纺大厦C座2楼E16
资质：营业执照
5025
ERICSSON/爱立信
23+
-
原厂原装正品现货

PMG8218TP
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园4栋中6楼6B01
69880
Ericsson
N/S
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

PMG8218TP
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
ERICSSON
1521+
-
全新原装现货

PMG8218TP
深圳市大源实业科技有限公司
深圳市大源实业科技有限公司
联系人：李女士
电话：1530261991513762584085
地址：深圳市龙岗区五和大道山海商业广场C座707室
24100
Ericsson
NA
22+
-
原装，公司部分现货，有单来谈QQ:161...

PMG8218TP
深圳市博盛源科技有限公司
深圳市博盛源科技有限公司
联系人：朱先生
电话：0755-23984783
地址：华强广场C座22K
资质：营业执照
46700
ERICSSON/爱立信
DIP10
21+
-
一级代理现货库存，配单专家竭诚为您服务

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1

您是不是要找： PMG85XP,115 PMG85XPH PMGD130UN,115 PMGD175XN,115 PMGD175XNEAX PMGD175XNEX PMGD280UN,115 PMGD290UCEAX PMGD290XN,115

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功能描述
DC/DC转换器 0.8-1.8V 12A Non-Iso Input 12V 21.6W
RoHS
否
制造商
Murata
产品
输出功率
输入电压范围
3.6 V to 5.5 V
输入电压（标称）
输出端数量
1
输出电压（通道 1）
3.3 V
输出电流（通道 1）
600 mA
输出电压（通道 2）
输出电流（通道 2）
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体尺寸

PMG8218TP 技术参数

PMG45UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3A SOT363 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:55 毫欧 @ 3A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:3.3nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:184pF @ 10V 功率 - 最大值:375mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 PMFPB8040XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停產 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:8.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V FET 功能:肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）:485mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:102 毫欧 @ 2.7A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN2020-6 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMFPB8032XP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:P 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:8.6nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:550pF @ 10V FET 功能:肖特基二极管（隔离式）功率耗散（最大值）:485mW（Ta），6.25W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:102 毫欧 @ 2.7A，4.5V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:DFN2020-6 封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘标准包装:1 PMFPB6545UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 10V 功率 - 最大值:520mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-HUSON（2x2）标准包装:1 PMFPB6532UP,115 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:二极管（隔离式）漏源极电压（Vdss）:20V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 1A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:6nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:380pF @ 10V 功率 - 最大值:520mW 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-UDFN 裸露焊盘供应商器件封装:6-HUSON（2x2）标准包装:1 PMGD370XN,115 PMGD400UN,115 PMGD780SN,115 PMGD8000LN,115 PMH0603-100 PMH0603-100-RC PMH0603-300 PMH0603-600 PMH0805-100 PMH0805-201 PMH0805-301 PMH0805-400 PMH0805-601 PMH0805-800 PMH-10H-AC120V PMH-10H-AC220V PMH-10H-AC240V PMH-10H-AC24V